高kゲート誘電体上の可調整仕事関数電極のための部分シリサイド技術-HfOx(N)pMOSFETのためのFermi準位ピンニング制御PtSix-

NABATAME T; KADOSHIMA M; IWAMOTO K; MISE N; MIGITA S; OHNO M; OTA H; YASUDA N; TORIUMI A

文献

J-GLOBAL ID：200902232032317154 整理番号：05A0154098

高kゲート誘電体上の可調整仕事関数電極のための部分シリサイド技術-HfO_x(N)pMOSFETのためのFermi準位ピンニング制御PtSi_x-

Partial Silicides Technology for Tunable Work Function Electrodes on High-k Gate Dielectrics-Fermi Level Pinning Controlled PtSi_x for HfO_x(N) pMOSFET-

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Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

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巻： 2004 ページ： 83-86 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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