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J-GLOBAL ID：200902232296841633   整理番号：06A0750443

金属支援無電解エッチングによって作製した多孔質GaNの増強紫外光伝導度

Enhanced ultraviolet photoconductivity in porous GaN prepared by metal-assisted electroless etching

著者 (3件)： GUO X.y. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dep. of Chemistry and Beckman Inst. for Advanced Sci. and Technol., Univ. of ...) ,  WILLIAMSON T.l. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dep. of Chemistry and Beckman Inst. for Advanced Sci. and Technol., Univ. of ...) ,  BOHN P.w. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dep. of Chemistry and Beckman Inst. for Advanced Sci. and Technol., Univ. of ...)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 140  号： 3-4  ページ： 159-162  発行年： 2006年10月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt支援無電解エッチングによって作製した多孔質GaN(PGa...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 支援 ,  無電解エッチング ,  作製 ,  多孔質 ,  GaN ,  増強 ,  紫外光 ,  伝導度