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J-GLOBAL ID:200902232319633758   整理番号:09A0041064

ケイ素クラスレート化合物を誘導するためのNaSiの制御熱分解

Controlled thermal decomposition of NaSi to derive silicon clathrate compounds
著者 (4件):
資料名:
巻: 182  号:ページ: 129-135  発行年: 2009年01月 
JST資料番号: H0505A  ISSN: 0022-4596  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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真空中におけるモノケイ化ナトリウムNaSiの制御熱分解により,二種類のナトリウム含有ケイ素クラスレート化合物の形成条件を決定した。分解は360°Cで始まった。I型クラスレート化合物Na<sub>8</sub>Si<sub>46</sub>の形成のためには360°Cよりかなり高い分解温度とナトリウム金属蒸気の存在が有利であった。ナトリウム金属蒸気が存在しない条件で分解温度が<440°Cの場合はII型クラスレート化合物Na<sub>x</sub>Si<sub>136</sub>が単相で得られた。I型クラスレート化合物は520°C以上で結晶性Siに分解した。II型クラスレート化合物はそれより熱的に安定であり,真空中で少なくとも550°Cまで分解しなかった。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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