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J-GLOBAL ID：200902232402178418   整理番号：09A0921426

電子顕微鏡技術と理論計算の新展開 第一原理計算に基づくセラミックスのナノ構造解析と設計指針:酸化スズを例に

著者 (6件)： 田中功 (京大 大学院工学研究科) ,  世古敦人 (京大) ,  東後篤史 (京大 大学院工学研究科) ,  大場史康 (京大 大学院工学研究科) ,  松永克志 (京大 大学院工学研究科) ,  松永克志 (ファインセラミックスセ)
資料名： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
巻： 44  号： 9  ページ： 679-683  発行年： 2009年09月01日 
JST資料番号： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,計算機と計算技術が飛躍的に進歩し,高精度で大規模な第一原理計算を多数に並行して行なうことが可能になり,ナノ構造の定量的な情報が系統的に得られるようになってきた。本稿では,セラミック研究への計算科学手法応用の進展について,酸化スズの計算結果の例を紹介した。1)SnO₂の表面エネルギーと構造の温度依存性:(110)と(101)面の全ての構造とエネルギーの第一原理計算,温度及び酸素分圧の影響,2)Sn_n+1O_2nホモロガス相の構造と相安定性:第一原理計算とクラスタ展開法の組合せ,3)SnOにおける点欠陥と電荷担体生成:第一原理計算による点欠陥の形成と電子状態,電荷担体(キャリア)生成。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  構造解析 ,  *電子顕微鏡観察 ,  計算 ,  理論 ,  *セラミック ,  酸化スズ ,  指針 ,  材料設計 ,  方法論 ,  表面エネルギー ,  温度依存性 ,  分圧 ,  圧力効果 ,  相安定性 ,  構造相転移 ,  クラスタ展開 ,  格子欠陥 ,  点欠陥 ,  キャリア ,  電子状態 ,  格子間原子 ,  半導体 ,  結晶構造 ,  状態密度 ,  密度分布 ,  *理論計算 ,  第一原理計算 ,  計算科学 ,  酸素分圧 ,  電荷キャリア
準シソーラス用語： 電子顕微鏡法 ,  設計指針 ,  クラスタ展開法 ,  電荷担体 ,  侵入型原子

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

引用文献 (9件)：

• DOMINGUEZ, J. E. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 614
• BERGERMAYER, W. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 909
• STULL, D. R. JANAF Thermochemical Tables. 1971
• SEKO, A. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 045702
• DE FONTAINE, D. Solid State Physics. 1994, 47, 33-176

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子顕微鏡 ,  理論計算 ,  展開 ,  第一原理計算 ,  セラミックス ,  構造解析 ,  設計指針 ,  酸化スズ