強誘電性重合体のLangmuir-Blodgett膜を用いた不揮発性記憶素子

REECE T J; DUCHARME S; SOROKIN A V; POULSEN M

文献

J-GLOBAL ID：200902232530751635 整理番号：03A0062933

強誘電性重合体のLangmuir-Blodgett膜を用いた不揮発性記憶素子

Nonvolatile memory element based on a ferroelectric polymer Langmuir-Blodgett film.

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資料名：
巻： 82 号： 1 ページ： 142-144 発行年： 2003年01月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

強誘電性重合体Langmuir-Blodgett(LB)膜を...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 半導体集積回路

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