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J-GLOBAL ID：200902232535241821   整理番号：04A0035585

AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに与える分子ビームエピタクシー成長AlN不動態化層の影響

Effects of a molecular beam epitaxy grown AlN passivation layer on AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors

著者 (5件)： HWANG J (Cornell Univ., NY, USA) ,  SCHAFF W J (Cornell Univ., NY, USA) ,  GREEN B M (Cornell Univ., NY, USA) ,  CHA H (Cornell Univ., NY, USA) ,  EASTMAN L F (Cornell Univ., NY, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 48  号： 2  ページ： 363-366  発行年： 2004年02月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のAlN層は,標記トランジスタの便利で効果的な不動態化層...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  分子ビームエピタクシー成長 ,  AlN ,  不動態化