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J-GLOBAL ID：200902232548776872   整理番号：09A0645856

22nm半ピッチノードにおけるリソグラフィー技術の費用比較の見積り

Estimation of Cost Comparison of Lithography Technologies at the 22nm Half-pitch Node

著者 (3件)： WUEEST Andrea (SEMATECH, NY, USA) ,  HAZELTON Andrew J. (Nikon Corp., Tokyo, JPN) ,  HUGHES Greg (SEMATECH, NY, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7271  号： Pt.1  ページ： 72710Y.1-72710Y.10  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 22nm半ピッチリソグラフィーの候補技術としての極端紫外リソグラフィー(EUVL)と各種方式(LELE,LLE,スペーサ)を含めたArF液浸二重パターニングリソグラフィー(DPL)を取上げ,それぞれに必要となる費用を分析して比較した。費用の見積りには,レチクル,洗浄,エッチング,計測,蒸着,リソグラフィーを含めたモデルの総費用を二つのマスク使用法(1000および20000ウエハ/マスク)に対して計算した。その結果,特定のマスク費用を仮定すると(厳密モデル),EUVLはDPLに比べて費用が大幅に低く,他のマスク費用の仮定(CWモデル)では,両者の費用は同程度になり得ることが分かった。DPLに対するEUVLの相対費用は,スループット(TP)と稼働時間(UT)が小さいときは高く,大きいときは低くなり,小さいTPとUTも許容できることも分かった。さらに,ウエハサイズを300から450mmに広げると,0~15%の費用低減が期待できることも見いだした。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *極端紫外線 ,  *費用効果分析 ,  パターン形成 ,  比較試験 ,  見積 ,  レチクル ,  フォトマスク ,  洗浄 ,  計測 ,  蒸着 ,  モデル ,  スループット ,  ウエハ【IC】 ,  サイズ効果
準シソーラス用語： 液浸リソグラフィー ,  費用モデル

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ピッチ ,  ノード ,  リソグラフィー技術 ,  費用 ,  見積り