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J-GLOBAL ID:200902232590698075   整理番号:08A0568985

低閾値連続波シリコンラマンレーザー

Low-threshold continuous-wave Raman silicon laser
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 232-237  発行年: 2007年04月 
JST資料番号: W2212A  ISSN: 1749-4885  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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我々は,リング・レゾネーター・キャビティ構成を利用した低閾値連続波(c.w.)シリコンラマンレーザーの初の実証結果について報告する。25Vの逆バイアスをp-i-nシリコン導波路に印加し,発振閾値20mW,スロープ効率28%,出力50mWを実現した。これは,以前の結果と比較すると,発振閾値は約10倍向上し,スロープ効率と出力は5倍以上向上したことを示している。さらに我々は,ゼロバイアス電圧でのc.w.発振を初めて実証した。この配置では,レーザーは外部電力供給を必要とせず,26mWの発振閾値および10mWを超えるレーザー出力を得た。低閾値発振および外部バイアスなしでの発振の実現は,通信や相互接続から光センシングや生物医学にまで及ぶさまざまな応用を目的とした,誘導ラマン散乱に基づく実用的シリコンレーザーの実現へ向けての大きな進展である。Copyright Nature Publishing Group 2008
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分類 (1件):
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半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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