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J-GLOBAL ID：200902232654809623   整理番号：09A0205023

水素終端Si(111)面の光照射による水素脱離の光第二高調波,光和周波顕微像観察

著者 (5件)： 山下啓 (北陸先端科学技術大学院大) ,  宮内良広 (北陸先端科学技術大学院大) ,  岡田純一 (北陸先端科学技術大学院大) ,  佐野陽之 (北陸先端科学技術大学院大) ,  水谷五郎 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 17th  ページ： 261-264  発行年： 2006年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光照射したシリコンからの水素脱離は光CVDやレーザアブレーションの重要な基礎過程であるが,その空間分布は十分に研究されていない。そこで,第二高調波発生(SHG)顕微鏡を使用して,一部の水素を脱離した水素終端H-Si(111)面の電子準位像が超高真空下で観測できることを実証した。また,光和周波数発生(SFG)に基づくSFG顕微鏡を開発して,入射赤外レーザ光の波長を変えたときの振動スペクトル像が観測できるようにした。ここではSHGおよびSFG顕微鏡を用いて取得した水素脱離の表面電子状態像と表面水素振動像とそれらの解析結果を報告した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *脱離反応 ,  *水素 ,  *光学顕微鏡法 ,  *第二高調波発生 ,  *和周波数発生 ,  *レーザ照射 ,  顕微鏡観察 ,  画像処理 ,  超高真空 ,  赤外レーザ ,  振動スペクトル ,  波長依存性 ,  *電子状態 ,  *表面準位
準シソーラス用語： 水素終端

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  光学的測定とその装置一般  (BD07010S) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素終端 ,  Si ,  光照射 ,  水素脱離 ,  第二高調波 ,  観察