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J-GLOBAL ID：200902232812442953   整理番号：09A0171697

ギガヘルツ周波数域におけるグラフェントランジスタの動作

Operation of Graphene Transistors at Gigahertz Frequencies

著者 (6件)： LIN Yu-Ming (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  JENKINS Keith A. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  VALDES-GARCIA Alberto (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  SMALL Joshua P. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  FARMER Damon B. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  AVOURIS Phaedon (IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 9  号： 1  ページ： 422-426  発行年： 2009年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは室温でいかなる材料より高い固有キャリア移動度を有し,高周波デバイス用に適していると予想されるが,グラフェントランジスタの固有高周波輸送特性は系統的に調べられていない。高周波域(ギガヘルツ)トップゲート型グラフェントランジスタを作製して特性を解析した。固有電流利得測定値は理想的な1/f周波数依存性を示し,電界効果トランジスタ型挙動を予測させた。カットオフ周波数はデバイスの直流相互コンダクタンスに比例した。高周波分野のグラフェン系エレクトロニクスの可能性について考察した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *FET【トランジスタ】 ,  *HF【周波数】 ,  利得 ,  遮断周波数 ,  相互コンダクタンス ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *高周波 ,  電流利得 ,  カットオフ周波数

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： ギガヘルツ ,  グラフェントランジスタ