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J-GLOBAL ID：200902232976155912   整理番号：09A0341687

グラフェン・トランジスターの光電流イメージングと効率的フォトン検出

Photocurrent Imaging and Efficient Photon Detection in a Graphene Transistor

著者 (8件)： XIA Fengnian (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  MUELLER Thomas (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  GOLIZADEH-MOJARAD Roksana (Purdue Univ., Indiana) ,  FREITAG Marcus (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  LIN Yu-ming (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  TSANG James (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  PEREBEINOS Vasili (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  AVOURIS Phaedon (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 9  号： 3  ページ： 1039-1044  発行年： 2009年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査光電流イメージング法を使って典型的なグラフェン・トランジスターの幅0.62μm,長さ1.45μmのチャネル内の表面ポテンシャル・プロファイルを測定した。所定のゲート・バイアスではチャネル・ポテンシャルに及ぼす金属接点の効果は,チャネル内でソースおよびドレイン側から全チャネル長さの1/3以上の距離にまで及ぶためにチャネルの大部分が金属接点によって影響されることを示した。また,金属接点のあるグラフェンとバルク・グラフェンの間のポテンシャル障壁もゲート・バイアスを変えて測定し,ゲート・バイアスがディラック点電圧を越えると最初のp型グラフェン・チャネルがp-n-p型チャネルへ変化することを示した。フォトン検出に約0.3nm厚の単一原子層のみが関与する場合には632.8nm光がp-n型接合へ集束して照射されると0.001A/Wの外部応答性が得られた。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *トランジスタ ,  *光電流 ,  表面電位 ,  画像処理 ,  ゲート【半導体】 ,  バイアス ,  ポテンシャル障壁 ,  P型半導体 ,  PNP接合 ,  *光子 ,  *光検出 ,  PN接合 ,  *グラフェン

分類 (5件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  トランジスター ,  光電流 ,  イメージング ,  フォトン