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J-GLOBAL ID：200902233263428184   整理番号：08A0340577

多結晶SiCにおけるアンチサイト欠陥の解析と配置

Analysis and location of antisite defects in polycrystalline SiC

著者 (1件)： TAKESHITA Tetsuyoshi (Dep. of Electronics and Information Engineering, Ishikawa National Coll. of Technol., Tsubata, Kahoku-gun, Ishikawa ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 103  号： 6  ページ： 063521  発行年： 2008年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンチサイト欠陥を含む多結晶SiCの構造を調べるために実験的Tersoffポテンシャルに基づく分子動力学シミュレーションを行った。欠陥を配置させるために,結晶の二つのタイプ:モデル構造1は結晶中にランダムに配置された欠陥を含む:モデル2は結晶の表面にのみ配置された欠陥を含むを多結晶SiCの結晶粒モデルとして使用した。格子パラメータを計算した結果,構造1の歪みは構造2の歪みより一桁から二桁大きい。シミュレーション結果と実験の比較で,Si富化多結晶SiC結晶中にSiアンチサイトが配置され難いのに対して,炭素アンチサイト欠陥は容易にC富化多結晶SiC結晶中に取り入れられる事が分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *格子欠陥 ,  *炭化ケイ素 ,  多結晶 ,  分子動力学 ,  ポテンシャル ,  解析モデル ,  結晶粒 ,  格子定数 ,  格子歪 ,  化合物半導体 ,  計算機シミュレーション ,  *アンチサイト欠陥 ,  分子動力学シミュレーション ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： Tersoffポテンシャル ,  格子パラメータ

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： アンチサイト欠陥 ,  解析