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J-GLOBAL ID：200902233380588885   整理番号：09A0029984

IGBTハイパワーモジュール

High Power IGBT Modules

著者 (3件)： 西村孝司 (富士電機デバイステクノロジー) ,  高宮喜和 (富士電機デバイステクノロジー) ,  中島修 (富士電機デバイステクノロジー)
資料名： 富士時報  (Fuji Electric Journal)
巻： 81  号： 6  ページ： 390-394  発行年： 2008年11月10日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 0367-3332  CODEN： FUJIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 富士電機は,近年,地球温暖化を抑制するため,化石化燃料を使用しない新エネルギー分野(風力・太陽光発電)の市場が急速に伸びている。本分野への適用をねらい,U4チップを搭載し,熱的特性の向上と耐環境性能を改善した1,200Vおよび1,700Vの耐圧を持ち,600~3,600Aまでの電流容量を持つ大容量のIGBTハイパワーモジュールを新たに開発した。パッケージは,130×140mm,190×140mmで,1in1および2in1モジュールを構成する。(著者抄録)

シソーラス用語： *IGBT ,  *回路モジュール ,  電気特性 ,  接続品質 ,  梱包 ,  熱抵抗 ,  鋳型【鋳造】 ,  性能
準シソーラス用語： *パワーモジュール ,  スイッチング性能 ,  パッケージ ,  インゴットモールド ,  環境性能

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (2件)：

• 西村孝司ほか. 産業用大容量IGBTモジュール. 富士時報. vol.78, no.4, 2005, p. 264-268.
• 原口浩一ほか. U4シリーズIGBTモジュール. 富士時報. vol.78, no.4, 2005, p. 256-259.

タイトルに関連する用語 (2件)： IGBT ,  パワーモジュール