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J-GLOBAL ID：200902233503804910   整理番号：08A1149056

イオン性液体中での電析による制御可能な直径を持つシリコン・ナノワイアの室温成長

Growth of Silicon Nanowires of Controlled Diameters by Electrodeposition in Ionic Liquid at Room Temperature

著者 (6件)： MALLET J. (URCA, Reims, FRA) ,  MOLINARI M. (URCA, Reims, FRA) ,  MARTINEAU F. (URCA, Reims, FRA) ,  DELAVOIE F. (INSERM, Reims, FRA) ,  FRICOTEAUX P. (Dynamique de Transfert aux Interfaces (LACM-DTI), Reims) ,  TROYON M. (URCA, Reims, FRA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 8  号： 10  ページ： 3468-3474  発行年： 2008年10月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温における非水溶媒中の絶縁性ナノ細孔性膜内でSiイオンを電気化学的に還元する電気化学的鋳型合成法を使ってSiNWを初めて作製した。この簡易的合成法は革新的かつ安価であった。SEM,TEM,FTIR,XRD,EDX,Ramanを使って特性評価し,電析したままのSiNWはアモルファスで,均一なサイズの純粋なSiであることを示した。得られたSiNWの平均直径および長さは鋳型であるナノ細孔性膜の細孔(400~15nm)および厚さに依存した。また,アニーリング処理すると結晶性SiNWが得られた。

シソーラス用語： *塩化ケイ素 ,  *イオン液体 ,  窒素複素環化合物 ,  第四アンモニウム ,  スルフィミド ,  *融解塩電解 ,  ポリカーボネート ,  高分子薄膜 ,  *多孔質体 ,  鋳型反応 ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  電子顕微鏡観察 ,  Fourier変換 ,  赤外吸収スペクトル ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  Ramanスペクトル ,  非晶質 ,  均一性 ,  純度 ,  直径 ,  長さ ,  細孔径 ,  膜厚

分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

物質索引 (2件)： 1-ブチル-1-メチルピロリジニウム ,  ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド

タイトルに関連する用語 (7件)： イオン性液体 ,  電析 ,  直径 ,  シリコン ,  ナノワイア ,  室温 ,  成長