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J-GLOBAL ID：200902233880705527   整理番号：03A0505732

n型およびp型GaNのバンドエッジポテンシャル

Band-Edge Potentials of n-Type and p-Type GaN
著者 (3件)：
BEACH J D

BEACH J D について

(Colorado School of Mines, Colorado, USA)

Colorado School of Mines, Colorado, USA について

, 
COLLINS R T

COLLINS R T について

(Colorado School of Mines, Colorado, USA)

Colorado School of Mines, Colorado, USA について

, 
TURNER J A

TURNER J A について

(National Renewable Energy Lab., Colorado, USA)

National Renewable Energy Lab., Colorado, USA について


資料名：
Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)

Journal of the Electrochemical Society について


巻： 150  号： 7  ページ： A899-A904  発行年： 2003年07月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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水溶液中のp-GaNのバンドエッジポテンシャルを光電流測定で...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*N型半導体

N型半導体 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*伝導帯

伝導帯 について

,...
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分類 (3件)：
分類
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半導体結晶の電気伝導 
(BM03043X)

半導体結晶の電気伝導 について

,  固-液界面 
(CB12050B)

固-液界面 について

,  塩 
(CD01050V)

塩 について

タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
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GaN

GaN について


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