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J-GLOBAL ID：200902233987562214   整理番号：04A0190081

超拡散による半導体中への不純物原子の電子ビームドーピング

Electron beam doping of impurity atoms into semiconductors by superdiffusion
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著者 (2件)：
WADA T

WADA T について

(Nagoya Sangyo Univ., Aichi, JPN)

Nagoya Sangyo Univ., Aichi, JPN について

, 
FUJIMOTO H

FUJIMOTO H について

(Daido Inst. Technol., Nagoya, JPN)

Daido Inst. Technol., Nagoya, JPN について


資料名：
Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002  (Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002)

Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002 について


ページ： 788-794  発行年： 2003年 
JST資料番号： K20030106  ISSN： 1610-1634  ISBN： 3-527-40435-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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半導体中に薄い拡散層(50~1000Å)を電子ビームドーピン...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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半導体

半導体 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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電子ビームドーピング

電子ビームドーピング について


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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  固体中の拡散一般 
(BL06021L)

固体中の拡散一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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拡散

拡散 について

, 
不純物原子

不純物原子 について

, 
電子ビーム

電子ビーム について

, 
ドーピング

ドーピング について


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