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J-GLOBAL ID：200902234162012625   整理番号：08A0171030

CrドープしたAlP密度汎関数計算における半金属強磁性

Half-metallic ferromagnetism in Cr-doped AlP-density functional calculations

著者 (4件)： ZHANG Yong (Inst. of Optoelectronics Sci. and Engineering, Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan 430074, CHN) ,  ZHANG Yong (Inst. of Optoelectronics, Shenzhen Univ., Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education ...) ,  LIU Wen (Inst. of Optoelectronics, Shenzhen Univ., Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education ...) ,  NIU Hanben (Inst. of Optoelectronics, Shenzhen Univ., Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education ...)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 145  号： 11-12  ページ： 590-593  発行年： 2008年03月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン密度汎関数法に基づく第一原理計算を用いて,CrドープしたAlPの強磁性及びスピン分解した電気特性を調べた。AlP中のCr不純物はスピン分極し,計算で求めたバンド構造は伝導キャリアの100%分極を示唆した。Crの正味磁気モーメントは約3μBであった。12.5%のCr濃度におけるエネルギー計算では,強磁性状態は反強磁性状態よりもCr当り108.8meV低く,CrドープAlPでは>650Kの高いCurie点が期待される。二重交換及びp-dハイブリッド形成機構はCrドープAlPの強磁性基底状態に寄与したが,前者の方が支配的であった。これらの結果はCrドープAlPがスピントロニクス用の有望な希釈磁性半導体であることを示唆した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *密度汎関数法 ,  第一原理 ,  *磁性半導体 ,  電子技術 ,  反強磁性 ,  *強磁性 ,  半金属 ,  ドーピング ,  電気特性 ,  スピン分極 ,  バンド構造 ,  磁気モーメント ,  アルミニウム化合物 ,  リン化物 ,  スピントロニクス ,  Curie温度
準シソーラス用語： Curie点 ,  希釈磁性半導体

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cr ,  ドープ ,  ALP ,  密度汎関数計算 ,  半金属 ,  強磁性