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J-GLOBAL ID：200902234961569306   整理番号：05A0703697

Cu/low-k相互接続プロセスによる将来のULSI用のタンタル障壁層を使うカーボンナノチューブ成長技術

Carbon Nanotube Growth Technologies Using Tantalum Barrier Layer for Future ULSIs with Cu/Low-k Interconnect Processes

著者 (10件)： HORIBE Masahiro (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  HORIBE Masahiro (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  NIHEI Mizuhisa (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  NIHEI Mizuhisa (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KONDO Daiyu (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KONDO Daiyu (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KAWABATA Akio (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KAWABATA Akio (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  AWANO Yuji (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  AWANO Yuji (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 7A  ページ： 5309-5312  発行年： 2005年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超々大規模集積回路に使う銅相互接続プロセスに特に適したカーボ...

シソーラス用語： 銅 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (11件)：

• 1) International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS2003) (Semiconductor Industry Association, San Jose, CA, 2003).
• 2) Z. Yao, C. L. Kane and C. Dekker: Phys. Rev. Lett. 84 (2000) 2941.
• 3) P. Kim, L. Shi, A. Majumdar and P. L. McEuen: Phys. Rev. Lett. 87 (2001) 215502.
• 4) R. S. Ruoff, D. Qian and W. K. Liu: C. R. Phys. 4 (2003) 993.
• 5) W. Hoenlein: Proc. Int. Microprocesses and Nanotechology Conf. 2001, 2001, p. 76.

タイトルに関連する用語 (8件)： Cu ,  相互接続 ,  プロセス ,  ULSI ,  タンタル ,  障壁層 ,  カーボンナノチューブ ,  成長