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J-GLOBAL ID：200902235034319714   整理番号：07A1123467

半導体デバイス特性への光照射効果の数値計算

著者 (1件)： 三宅雅保 (福山大 工)
資料名： 福山大学工学部紀要  (Memoirs of the Faculty of Engineering, Fukuyama University)
巻： 30  ページ： 27-35  発行年： 2006年12月01日 
JST資料番号： X0293A  ISSN： 0286-858X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si半導体デバイスのうち,pn接合を取り上げ,その電流-電圧...

シソーラス用語： *半導体素子 ,...

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分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (3件)： デバイス特性 ,  光照射 ,  数値計算