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J-GLOBAL ID：200902235333711094   整理番号：08A0277142

BiFeO₃/NbのドープされたSrTiO₃から成るヘテロ接合に関する整流性電流-電圧特性

Rectifying current-voltage characteristics of BiFeO3/Nb-doped SrTiO3 heterojunction

著者 (10件)： YANG H. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  LUO H. M. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  WANG H. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M Univ., Coll. Station, Texas 77843-3128, USA) ,  USOV I. O. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  SUVOROVA N. A. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  JAIN M. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  FELDMANN D. M. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  DOWDEN P. C. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  DEPAULA R. F. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  JIA Q. X. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 10  ページ： 102113  発行年： 2008年03月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザー蒸着法によって,c軸配向したBiFeO₃(BFO)のエピタキシャル膜をNbのドープされた(001)SrTiO₃基板上に堆積した。Bi空格子を導入すると,BFO薄膜はp型の半導体になり,n型の半導体であるNb-STOとp-n接合を形成する。このヘテロ構造に関する電流密度対電圧(J-V)および静電容量対電圧(C-V)特性を研究した。その結果,典型的な整流性J-V効果が観測され,整流比は5×10⁴であることが分かった。また,逆C-V特性から,1/C²とVは直線関係を有し,その結果から求めた組み込みポテンシャルは0.6Vであることが分かった。これらの結果から,BFO/Nb-STOヘテロ接合は酸化物エレクトロニクスへの応用が期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  ニオブ ,  ドーピング ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *ヘテロ接合 ,  整流 ,  電流電圧特性 ,  パルスレーザ照射 ,  レーザ蒸着 ,  優先配向 ,  エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  空格子点 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  PN接合 ,  容量電圧特性 ,  ポテンシャル ,  化合物半導体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： BiFeO3 ,  Nb ,  ドープ ,  ヘテロ接合 ,  整流 ,  電圧特性