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J-GLOBAL ID：200902235336193060   整理番号：08A0467854

欠けていたメムリスター(memristor)の発見

The missing memristor found

著者 (4件)： STRUKOV Dmitri B. (HP Labs, California, USA) ,  SNIDER Gregory S. (HP Labs, California, USA) ,  STEWART Duncan R. (HP Labs, California, USA) ,  WILLIAMS R. Stanley (HP Labs, California, USA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 453  号： 7191  ページ： 80-83  発行年： 2008年05月01日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子工学実験の授業を受けた人なら誰でも,レジスター(抵抗),キャパシター,インダクターという基本的な受動回路素子についてはよく知っているだろう。しかし,1971年にL Chuaは,対称性を論拠に第4の基本素子が存在するはずであると推論し,メムリスター(メモリー・レジスターの略)と名づけた。Chuaは,そのような素子が多くの興味深く,かつ有益な回路特性をもつことを示したが,今まで誰もメムリスターの有用な物理的モデルや実例を提示したことがなかった。今回我々は,簡単な解析例を用いて,外部バイアス電圧下で固体電子輸送とイオン輸送がカップリングするナノスケール系において,メムリスタンス(memristance)が自然に発生することを示す。これらの結果は,帯電した原子種または分子種の運動を伴う多くのナノスケール電子デバイスにおいて,特に特定の二酸化チタン・クロスポイントスイッチにおいて観測される,電流-電圧特性の広範なヒステリシス挙動を理解するための基礎となる。Copyright Nature Publishing Group 2008

シソーラス用語： 回路部品 ,  *モデリング ,  *電気伝導 ,  *イオン伝導 ,  *規模 ,  酸化チタン ,  固体素子 ,  ナノ構造 ,  *電流電圧特性 ,  *ヒステリシス ,  電子伝導 ,  *ナノスケール ,  二酸化チタン ,  電子素子
準シソーラス用語： メムリスター ,  ナノスケール電子素子

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (2件)： メムリスター ,  発見