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J-GLOBAL ID：200902235451743618   整理番号：07A0615781

フラッシュメモリにおけるランダム電信信号:90nmノード以降の多値フラッシュメモリのスケーリングにおよぼすその影響

Random Telegraph Signal in Flash Memory: Its Impact on Scaling of Multilevel Flash Memory Beyond the 90-nm Node

著者 (10件)： KURATA Hideaki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OTSUGA Kazuo (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KOTABE Akira (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAJIYAMA Shinya (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OSABE Taro (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SASAGO Yoshitaka (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  NARUMI Shunichi (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  TOKAMI Kenji (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  TSUCHIYA Osamu (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 42  号： 6  ページ： 1362-1369  発行年： 2007年06月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,高密度フラッシュメモリはディジタルカメラや携帯用ミュー...

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,...
準シソーラス用語： テイルビット ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶方式  (JC02040V) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (5件)： フラッシュメモリ ,  電信 ,  ノード ,  多値 ,  スケーリング