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J-GLOBAL ID：200902235565921389   整理番号：08A0752690

溶液処理半導体と自己集積化単一層ゲート誘電体をベースにした低電圧有機トランジスタ

Low-voltage organic transistors based on solution processed semiconductors and self-assembled monolayer gate dielectrics

著者 (7件)： WOEBKENBERG Paul H. (Dep. of Physics, Blackett Lab., Imperial Coll. London, London SW7 2BW, GBR) ,  BALL James (Dep. of Physics, Blackett Lab., Imperial Coll. London, London SW7 2BW, GBR) ,  KOOISTRA Floris B. (Molecular Electronics, Zernike Inst. for Advanced Materials and Stratingh Inst. of Chemistry Univ. of Groningen ...) ,  HUMMELEN Jan C. (Molecular Electronics, Zernike Inst. for Advanced Materials and Stratingh Inst. of Chemistry Univ. of Groningen ...) ,  DE LEEUW Dago M. (Philips High-Tech Campus, Prof. Holstlaan 4, 5656 AA Eindhoven, NLD) ,  BRADLEY Donal D. C. (Dep. of Physics, Blackett Lab., Imperial Coll. London, London SW7 2BW, GBR) ,  ANTHOPOULOS Thomas D. (Dep. of Physics, Blackett Lab., Imperial Coll. London, London SW7 2BW, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 1  ページ： 013303  発行年： 2008年07月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機トランジスタの動作電圧低下は低出力エレクトロニクス応用で成功するのに非常に重要である。可溶性の有機半導体と自己組織化ゲート誘電体の組み合わせを用いて作製した低電圧nチャネルトランジスタについて報告する。ナノ誘電体の高い幾何学的容量により,2Vより低電圧でトランジスタが動作する。誘電体と半導体溶液の表面エネルギー適合性の解析により,溶液処理が可能である。0.01-0.04dielectriccm²/Vsの範囲の電子移動度と≦0.35Vのしきい電圧を示す。この研究により溶液処理の低電圧/出力の有機相補回路に向かっての道が開かれる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 自己集合 ,  *単一層 ,  *絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  可溶性 ,  *電圧 ,  *トランジスタ ,  閾値 ,  キャリア移動度 ,  表面エネルギー ,  *ゲート絶縁膜 ,  溶解性 ,  *低電圧 ,  電子移動度
準シソーラス用語： 自己集積化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液処理 ,  自己集積化 ,  単一層 ,  ゲート誘電体 ,  低電圧 ,  有機トランジスタ