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J-GLOBAL ID：200902235586361774   整理番号：09A0426099

銅フタロシアニン正孔注入層の膜厚が有機EL素子の耐久性に与える影響

著者 (3件)： 渡邊一弘 (北陸先端科学技術大学院大) ,  松島敏則 (北陸先端科学技術大学院大) ,  村田英幸 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 3  ページ： 137  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 有機半導体 ,  正孔 ,  キャリア注入 ,  *半導体素子 ,  *エレクトロルミネセンス ,  耐久性 ,  劣化 ,  酸化インジウムスズ ,  アルミニウム ,  キャリア移動度 ,  発光ダイオード ,  *有機EL素子
準シソーラス用語： ITO ,  注入層 ,  有機発光ダイオード

分類 (2件)： 有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  発光素子  (NC03082G)

物質索引 (3件)： トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム ,  α-NPD ,  銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (4件)： 銅フタロシアニン ,  正孔注入 ,  膜厚 ,  有機EL素子