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J-GLOBAL ID：200902235878763954   整理番号：07A0229068

新物質の静電調整

Electrostatic modification of novel materials

著者 (13件)： AHN C. H. (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  BHATTACHARYA A. (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  DI VENTRA M. (Univ. California San Diego, California, USA) ,  ECKSTEIN J. N. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  FRISBIE C. Daniel (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  GERSHENSON M. E. (State Univ. New Jersey, New Jersey, USA) ,  GOLDMAN A. M. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  INOUE I. H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  MANNHART J. (Augsburg Univ., Augsburg, DEU) ,  MILLIS Andrew J. (Columbia Univ., New York, USA) ,  MORPURGO Alberto F. (Delft Univ., Delft, NLD) ,  NATELSON Douglas (Rice Univ., Texas, USA) ,  TRISCONE Jean-Marc (Ecole de Physique, Geneve, CHE)
資料名： Reviews of Modern Physics  (Reviews of Modern Physics)
巻： 78  号： 4  ページ： 1185-1212  発行年： 2006年10月 
JST資料番号： D0518A  ISSN： 0034-6861  CODEN： RMPHAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電ドーピングを達成するために新物質に場効果トランジスタ原理...

シソーラス用語： *ドーピング ,...

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分類 (2件)： 格子欠陥一般  (BK12010J) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： 物質