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J-GLOBAL ID：200902235923706363   整理番号：08A0614788

強磁性金属/トンネル障壁接触からシリコンへの電気的スピン注入

Electrical spin-injection into silicon from a ferromagnetic metal/tunnel barrier contact

著者 (5件)： JONKER Berend T. (Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia, USA) ,  KIOSEOGLOU George (Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia, USA) ,  HANBICKI Aubrey T. (Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia, USA) ,  LI Connie H. (Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia, USA) ,  THOMPSON Phillip E. (Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia, USA)
資料名： Nature Physics  (Nature Physics)
巻： 3  号： 8  ページ： 542-546  発行年： 2007年08月 
JST資料番号： W2060A  ISSN： 1745-2473  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ベースの情報処理における電子スピンの利用は,「半導体に対する国際技術ロードマップ(ITRS)」の重要項目である。本研究では,鉄薄膜からSi(001)への,Al₂O₃を介したスピン分極電子の注入に成功した。放射再結合に起因するエレクトロルミネセンスの円偏光測定から,観測したスピン分極電子は,鉄との接触から生ずることを確認した。Siスピン分極の下限を10%と推定した。

シソーラス用語： 半導体 ,  *ケイ素 ,  ポテンシャル障壁 ,  トンネル効果 ,  磁性薄膜 ,  鉄 ,  スピン分極 ,  *注入 ,  キャリア注入 ,  アルミナ ,  絶縁材料 ,  再結合放射 ,  エレクトロルミネセンス ,  円偏光 ,  発光スペクトル ,  磁場効果 ,  温度依存性 ,  バンド構造 ,  絶縁体
準シソーラス用語： トンネル障壁 ,  *スピン注入 ,  電子注入

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強磁性金属 ,  トンネル障壁 ,  シリコン ,  スピン注入