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J-GLOBAL ID：200902236032498162   整理番号：05A0624392

MOS構造を用いた半導体FETガスセンサの水素応答性評価

Hydrogen Sensing Evaluation of MOS Capacitor for FET gas sensor

著者 (4件)： 後藤康 (日立) ,  横沢宏一 (日立) ,  右高園子 (日立) ,  中野定樹 (日立)
資料名： 電気学会ケミカルセンサ研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： CHS-05  号： 1-12  ページ： 49-52  発行年： 2005年 
JST資料番号： L2895B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 水素ガス検知システムの開発を進めている。Pd/SiO<sub...

シソーラス用語： 有機フッ素化合物 ,...

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分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

引用文献 (4件)：

• 乾昌弘. NEDO燃料電池・水素技術開発成果報告会要旨集、-水素安全利用等基盤技術開発-, 2004年7月 東京. 2004, 104-107
• LUNDSTROM, I. A hydrogen-sensitive MOS field-effect transistor. Appl. Phys. Lett. 1975, 26, 55-57
• MIURA, N. Sensing characteristics pH ISFET-based hydrogen sensor using proton-conductive thick film. Sensors and Actuators B. 1995, 24-25, 499-503
• YOKOSAWA, K. Improving FET Hydrogen-Gas Sensors by Including an Ion-Exchange Membrane and Hydrogen Detection System Prototype. Summaries of the Third International Conference on SIGNALS, SYSTEMS, and DEVICES, Sousse, Tunisia, 2005. 2005, 224

タイトルに関連する用語 (6件)： MOS構造 ,  FET ,  ガスセンサ ,  水素 ,  応答性 ,  評価