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J-GLOBAL ID：200902236140458517   整理番号：08A0233785

負性容量を使った低出力ナノスケール・デバイスの電圧増幅

Use of Negative Capacitance to Provide Voltage Amplification for Low Power Nanoscale Devices

著者 (2件)： SALAHUDDIN Sayeef (Purdue Univ., Indiana) ,  DATTA Supriyo (Purdue Univ., Indiana)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 8  号： 2  ページ： 405-410  発行年： 2008年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート内の標準的な絶縁体を厚さが適切な強誘電性絶縁体に置換し,準閾値係数Sが60mV/ディケード未満で,低電圧/低出力操作が可能な昇圧トランスを作製した。この電圧変換作用は,正の内部フィードバックによって生じる強誘電性コンデンサーの有効負性容量に起因すると解釈した。この負性容量を利用するS値の低減法は他の方法と違ってFETの基本的物性や電流ドライブに影響しない。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁材料 ,  *強誘電性 ,  *SIS構造 ,  閾値 ,  電圧 ,  出力 ,  フィードバック ,  静電容量 ,  チタン酸バリウム ,  信号増幅 ,  絶縁体 ,  *ネガティブキャパシタンス
準シソーラス用語： *電圧増幅 ,  *負性容量

分類 (4件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  変圧器  (NB08020Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 負性容量 ,  低出力 ,  ナノスケール ,  増幅