WANG X.l. について
Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing 100083, CHN について
WANG C.m. について
Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing 100083, CHN について
HU G.x. について
Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing 100083, CHN について
WANG J.x. について
Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing 100083, CHN について
CHEN T.s. について
Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing 210016, CHN について
JIAO G. について
Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing 210016, CHN について
LI J.p. について
Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing 100083, CHN について
ZENG Y.p. について
Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing 100083, CHN について
LI J.m. について
Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing 100083, CHN について
Solid-State Electronics について
MOCVD について
トランジスタ について
サファイア基板 について
MOCVD について
成長 について
AlGaN について
GaN について
HEMT について
DC について
RF について