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J-GLOBAL ID：200902236683843615   整理番号：09A1231986

第三世代太陽電池応用のための石英基板上に作製したSiナノ結晶p-i-nダイオード

Si nanocrystal p-i-n diodes fabricated on quartz substrates for third generation solar cell applications

著者 (6件)： PEREZ-WURFL Ivan (Univ. of New South Wales, Sydney 2052, AUS) ,  HAO Xiaojing (Univ. of New South Wales, Sydney 2052, AUS) ,  GENTLE Angus (Univ. of New South Wales, Sydney 2052, AUS) ,  KIM Dong-ho (Functional Coatings Res. Group, Korea Inst. of Materials Sci. (KIMS), 531 Changwondaero, Changwon, Gyeongnam 641-831 ...) ,  CONIBEER Gavin (Univ. of New South Wales, Sydney 2052, AUS) ,  GREEN Martin. A. (Univ. of New South Wales, Sydney 2052, AUS)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 15  ページ： 153506  発行年： 2009年10月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-型にはその場ホウ素ドーピング,n型にはその場リンドーピングした石英基板上に,二酸化ケイ素と名目原子比O/Si=0.7のシリコンリッチ酸化物の交互層をスパッタすることにより,p-i-nダイオードを作製した。結晶化の後,暗および光照射I-V特性は,373mVの開回路電圧のダイオード挙動を示した。層の厚さ及び対応する高抵抗率により,横電流は深刻な電流集中を生じた。温度依存ダイオードI-V測定に基づいて電子バンドギャップを導くとき,この効果を考慮した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *PIN接合 ,  接合ダイオード ,  ケイ素 ,  *ナノ結晶 ,  *ドーピング ,  P型半導体 ,  *ホウ素 ,  N型半導体 ,  *リン ,  *二酸化ケイ素 ,  *酸化物 ,  スパッタ蒸着 ,  電流電圧特性 ,  電気抵抗率 ,  こみあい効果
準シソーラス用語： *シリコン ,  石英基板 ,  開回路電圧

分類 (5件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 世代 ,  太陽電池 ,  応用 ,  石英基板 ,  作製 ,  Si ,  ナノ結晶 ,  ダイオード