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文献
J-GLOBAL ID:200902236921929981   整理番号:08A0453009

Fe/GaAs接合における界面電子状態とスピン注入

Interface Electronic States and Spin Injection in Fe/GaAs Contacts
著者 (3件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 351-354  発行年: 2008年05月01日 
JST資料番号: Z0944A  ISSN: 1882-2924  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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スピントロニクスにおける重要なスピン制御法の一つである強磁性体/半導体接合を介した半導体へのスピン注入を理論的に研究した。Schottky障壁が存在するFe/GaAs接合における光励起電子に対するスピン注入効率(コンダクタンスのスピン分極率)を現実的な強束縛近似で計算した。Schottky障壁なしの場合の結果が第一原理計算結果と一致することで,本計算手法の妥当性を前もって確認した。Schottky障壁が存在する場合,光励起電子がもたらすスピン分極率の計算結果はSchottky障壁に大きく依存すること,あるエネルギー領域ではスピン分極率が負の値をとることが明らかになった。これらの結果はSchottky障壁内に形成される界面状態によるもので,これまでの計算では見逃されていた点である。
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分類 (2件):
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半導体-金属接触  ,  光伝導,光起電力 
引用文献 (25件):
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タイトルに関連する用語 (5件):
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