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J-GLOBAL ID：200902237089111937   整理番号：04A0151025

けい素細線電荷結合デバイス中の単一電子の移動に起因する電流の量子化

Current quantization due to single-electron transfer in Si-wire charge-coupled devices

著者 (4件)： FUJIWARA A (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ZIMMERMAN N M (National Inst. Standards and Technol. (NIST), Maryland) ,  ONO Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 84  号： 8  ページ： 1323-1325  発行年： 2004年02月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si細線チャネルと障壁の高さを調節することができる複数の微細...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  電荷移送デバイス  (NC03130E)

タイトルに関連する用語 (6件)： けい素 ,  細線 ,  電荷結合デバイス ,  単一電子 ,  起因 ,  量子化