文献

J-GLOBAL ID：200902237190453288   整理番号：07A0377278

Zn-In-O系薄膜を用いた電界効果トランジスタとその組成依存性

著者 (8件)： 岩崎達哉 (キヤノン 先端研) ,  板垣奈穂 (キヤノン 先端研) ,  田透 (キヤノン 先端研) ,  雲見日出也 (キヤノン 先端研) ,  野村研二 (東京工大 応用セラミックス研) ,  神谷利夫 (東京工大 応用セラミックス研) ,  細野秀雄 (東京工大 応用セラミックス研) ,  細野秀雄 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 2  ページ： 686  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸化物 ,...
準シソーラス用語： しきい電圧

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0377278&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Zn ,  薄膜 ,  電界効果トランジスタ ,  組成依存性