文献

J-GLOBAL ID：200902237267149374   整理番号：08A1106412

積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの読出し方式の検討

著者 (2件)： 菅野孝一 (湘南工科大 工) ,  渡辺重佳 (湘南工科大 工)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J91-C  号： 11  ページ： 668-669  発行年： 2008年11月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文では強誘電体を用いた積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMを提案し,読出し時に通過メモリセルのゲートにパルス入力を印加する方式が高速読出しに有効であることを示した。通過メモリのゲートに分極反転が起きない短時間の高電圧パルスを印加することにより,フラッシュメモリと同程度以上の積層数(16)と数十ns以下の高速読出し時間を実現できる。(著者抄録)

シソーラス用語： 積層構造 ,  NAND回路 ,  *FeRAM ,  データ読取 ,  不揮発性メモリ ,  *集積回路メモリ

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (7件)：

• T. Tanaka, et al., Symp. on VLSI Technology, 2007.
• S. Y. Wu, IEEE Trans. Electron Devices, ED-21, pp. 499-508, 1974.
• H. Takato, et al., IEEE Trans. Electron Devices, vol.38, no.3, pp. 573-578, 1991.
• E. Tokumitsu, et al., Mater. Res, Soc, 6/symp. Proc.0902-T10-54.1~0.92-T10-54.6, 2006.
• 田渕良志明, 東京工業大学総合理工学研究科平成18年度博士論文, pp. 93-101, 2007.

タイトルに関連する用語 (4件)： 積層方式NAND ,  トランジスタ ,  FeRAM ,  読出し