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J-GLOBAL ID：200902237440020030   整理番号：08A0979161

パワーICsによる高電圧LIGBTsの信頼性ある高性能動作のためのシリコン厚膜技術

Thick silicon membrane technology for reliable and high performance operation of high voltage LIGBTs in Power ICs

著者 (7件)： TRAJKOVIC T. (Cambridge Semiconductor Ltd, Cambridge) ,  UDREA F. (Cambridge Semiconductor Ltd, Cambridge) ,  LEE C. (Cambridge Semiconductor Ltd, Cambridge) ,  UDUGAMPOLA N. (Cambridge Semiconductor Ltd, Cambridge) ,  PATHIRANA V. (Cambridge Semiconductor Ltd, Cambridge) ,  MIHAILA A. (Cambridge Semiconductor Ltd, Cambridge) ,  AMARATUNGA G.A.J. (Cambridge Semiconductor Ltd, Cambridge)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 20th  ページ： 327-330  発行年： 2008年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,高電圧ICが照明,電動機駆動やプラズマディスプレイなどで適用されている。効率,信頼性やコスト問題を解決する各種の方法が提案されている。その中で,横方向超接合素子と薄膜横方向絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(LIGBT)が注目されている。しかしそれぞれ課題もある。本稿では,スイッチング性能を犠牲にすることなく,非常に高電流密度(100A/cm²以上)で動作可能で,大幅に熱特性を改良したシリコン厚膜技術による高電圧LIGBTについて報告した。薄膜LIGBTおよび厚いSOI技術との比較結果についても示した。

シソーラス用語： 高電圧 ,  集積回路 ,  *厚膜 ,  速度 ,  スイッチング ,  *電流密度 ,  *熱特性 ,  IGBT ,  *パワーIC
準シソーラス用語： LIGBT ,  スイッチング速度 ,  絶縁ゲートバイポーラトランジスター

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワー ,  ICS ,  高電圧 ,  高性能 ,  シリコン ,  厚膜技術