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J-GLOBAL ID：200902237461354167   整理番号：09A0734116

n型の張力で歪ませたGeオンSiの直接ギャップ光ルミネセンス

Direct gap photoluminescence of n-type tensile-strained Ge-on-Si

著者 (4件)： SUN Xiaochen (Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...) ,  LIU Jifeng (Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...) ,  KIMERLING Lionel C. (Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...) ,  MICHEL Jurgen (Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 1  ページ： 011911  発行年： 2009年07月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温直接ギャップ光ルミネセンス(PL)を,n型の張力で歪ませたエピタキシャルGeオンSiから観測した。PL強度は,増加したFermi準位の結果としての直接Γ谷の中のより高い電子粒子数のために,n型ドーピングと共に増加する。直接ギャップ放射もまた,直接Γ谷の中への電子の熱励起のために温度と共に増加し,加熱効果への強さを示す。これらの間接ギャップ材料における直接ギャップ放射の独特の特性は,我々の理論モデルと一致し,Geを1550nm通信帯における有望な発光材料にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 室温 ,  *光ルミネセンス ,  *ゲルマニウム ,  エピタクシー ,  N型半導体 ,  張力 ,  歪 ,  ケイ素 ,  強度 ,  電子 ,  ドーピング ,  温度 ,  モデル ,  発光 ,  材料 ,  理論モデル
準シソーラス用語： エピタキシャル

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 張力 ,  Ge ,  Si ,  ギャップ ,  光ルミネセンス