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J-GLOBAL ID：200902237847115655   整理番号：08A0818615

トップコンクト.幾何構造の薄膜トランジスタ用の有機半導体の銀電極の直接インクジェット印刷

Direct inkjet printing of silver electrodes on organic semiconductors for thin-film transistors with top contact geometry

著者 (4件)： NOGUCHI Yoshiaki (Quantum Phase Electronics Center, School of Engineering, The Univ. of Tokyo 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  SEKITANI Tsuyoshi (Quantum Phase Electronics Center, School of Engineering, The Univ. of Tokyo 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  YOKOTA Tomoyuki (Quantum Phase Electronics Center, School of Engineering, The Univ. of Tokyo 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  SOMEYA Takao (Quantum Phase Electronics Center, School of Engineering, The Univ. of Tokyo 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 4  ページ： 043303  発行年： 2008年07月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インクジエット印刷によりペンタセン薄膜上に直接パターン形成する銀のソースとドレイン電極を用いてトップコンタクト幾何構造の高性能有機薄膜トランジスタを作製した。インクジェットノズルからAgナノ粒子を含むインク液滴を放出した。これらノズルにおけ圧電アクチュエータに適用した波形を制御することにより,液滴体積を17から1.4plに変化できる。液滴を減少させると,製造したトランジスタの特性を著しく改良する。1.4pl液滴を用いて製造したトランジスタは,0.3cm²/Vsの移動度と10⁶.を超えるオン-オフの電流比を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *有機半導体 ,  *インクジェット印刷 ,  半導体薄膜 ,  素子構造 ,  *銀 ,  *ナノ粒子 ,  アクチュエータ ,  *液滴 ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  電流 ,  ポリアセン ,  圧電アクチュエータ
準シソーラス用語： トップコンタクト構造 ,  オンオフ比

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 幾何構造 ,  薄膜トランジスタ ,  有機半導体 ,  銀電極 ,  インクジェット印刷