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J-GLOBAL ID：200902237886306921   整理番号：07A0679646

絶縁ゲートを備えたAlGaN/GaNを基本とする縦型のヘテロ接合型電界効果トランジスタ

A Vertical Insulated Gate AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistor

著者 (10件)： KANECHIKA Masakazu (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  SUGIMOTO Masahiro (Toyota Motor Corp., Aichi, JPN) ,  SOEJIMA Narumasa (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  UEDA Hiroyuki (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  ISHIGURO Osamu (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  KODAMA Masahito (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  HAYASHI Eiko (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  ITOH Kenji (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  UESUGI Tsutomu (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  KACHI Tetsu (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 46  号： 20-24  ページ： L503-L505  発行年： 2007年06月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 独立したGaN基板を用いて,絶縁ゲートを備えたAlGaN/G...

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁 ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  縦 ,  接合型電界効果トランジスタ