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J-GLOBAL ID：200902238066115788   整理番号：06A0781374

PLD低温成膜・ポストアニール法によるエピタキシャル酸化物薄膜の研究

著者 (4件)： 野原佑太 (東北大 大学院) ,  佐多教子 (東北大 大学院) ,  長尾祐樹 (東北大 大学院) ,  湯上浩雄 (東北大 大学院)
資料名： 電気化学秋季大会講演要旨集  (電気化学合同秋季大会講演要旨集)
巻： 2006  ページ： 140  発行年： 2006年 
JST資料番号： X0038A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸塩 ,...
準シソーラス用語： アニーリング ,...

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分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： PLD ,  低温 ,  成膜 ,  ポストアニール ,  エピタキシャル ,  酸化物薄膜 ,  研究