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J-GLOBAL ID：200902238159552916   整理番号：03A0237905

枯渇しない吸収体を有するInGaAs/InAlAsアバランシェフォトダイオード

InGaAs/InAlAs avalanche photodiode with undepleted absorber.

著者 (9件)： LI N (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  SIDHU R (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  LI X (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  MA F (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  ZHENG X (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  WANG S (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  KARVE G (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  HOLMES A L JR (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  CAMPBELL J C (Univ. Texas at Austin, Texas)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 82  号： 13  ページ： 2175-2177  発行年： 2003年03月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 枯渇しないp型InGaAs吸収領域及び薄いInAlAs増倍層...

シソーラス用語： *吸収体 ,...

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分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 枯渇 ,  吸収体 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  アバランシェフォトダイオード