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J-GLOBAL ID：200902238505263063   整理番号：09A0434361

カーボンナノチューブによるNH₃ガス検出のためのセンシング機構

Sensing Mechanisms for Carbon Nanotube Based NH₃ Gas Detection

著者 (5件)： PENG Ning (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ZHANG Qing (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  CHOW Chee Lap (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  TAN Ooi Kiang (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  MARZARI Nicola (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 9  号： 4  ページ： 1626-1630  発行年： 2009年04月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つのAu電極と接した一本のSWNTチャネルからなる電界効果トランジスターをSiO₂/P+Si基板上に作製し,保護Si₃N₄薄膜が1)Au電極とSWNTチャネルの接点,2)SWNTチャネル上を選択的に被覆した場合とNH₃ガス検出挙動を比較した。NH₃ガスによって誘起されるAu電極-SWNTチャネル接点でのSchottky障壁変調によってNH₃ガス応答信号が発生するセンシング機構は室温から150°Cまで優勢であり,さらに高温では電荷移動過程が応答信号に寄与すると示唆した。また,雰囲気中の酸素によってCNTチャネル上にNH₃吸着が促進されることを明瞭に実証した。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *金電極 ,  MSM構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *アンモニア ,  *ガスセンサ ,  感度 ,  応答 ,  *被覆 ,  *窒化ケイ素 ,  Schottky障壁 ,  温度依存性 ,  酸素

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： カーボンナノチューブ ,  NH3ガス ,  センシング機構