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J-GLOBAL ID：200902238541229866   整理番号：08A0946392

三族窒化物に基づく紫外光放出ダイオード

Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides

著者 (3件)： KHAN Asif (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  BALAKRISHNAN Krishnan (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  KATONA Tom (Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
資料名： Nature Photonics  (Nature Photonics)
巻： 2  号： 2  ページ： 77-84  発行年： 2008年02月 
JST資料番号： W2212A  ISSN： 1749-4885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三族窒化物に基づく紫外光放出ダイオード開発の進展を次の項目に沿って記述した。1)長波長紫外線,2)中間と短波長放出,及び3)将来の展望である。1)では365nm以上の波長放出が得られるGaN又はInGaNナノフォトニクスとそれ以下の波長が放出されるAlGaN量子井戸素子の設計と製造の違い,量子閉込め効果,合金クラスタのない場合,低キャリア閉込め,及び吸収テンプレートと基板を,2)では高アルミニウム合金の成長,横方向電流集中効果,及び効率的熱管理を,及び3)ではUV LEDの開発における鍵となる技術とマイルストーンをあげた。

シソーラス用語： 紫外レーザ ,  窒化ガリウム ,  量子井戸 ,  *量子井戸レーザ ,  量子閉込め ,  エピタクシー ,  熱管理 ,  紫外スペクトル ,  キャリア密度
準シソーラス用語： AlGaN ,  InGaN ,  ナノフォトニクス

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (2件)： 窒化物 ,  光放出ダイオード