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J-GLOBAL ID：200902238987603559   整理番号：06A0300670

Niゲルマニウム化中の硫黄偏析によるNiGe/Ge Schottky障壁高さの変調

Modulation of NiGe/Ge Schottky barrier height by sulfur segregation during Ni germanidation

著者 (5件)： IKEDA Keiji (MIRAI Project, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), AIST Tsukuba West 7, 16-1, Onogawa, Tsukuba ...) ,  YAMASHITA Yoshimi (MIRAI Project, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), AIST Tsukuba West 7, 16-1, Onogawa, Tsukuba ...) ,  SUGIYAMA Naoharu (MIRAI Project, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), AIST Tsukuba West 7, 16-1, Onogawa, Tsukuba ...) ,  TAOKA Noriyuki (MIRAI Project, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), AIST Tsukuba West 7, 16-1, Onogawa ...) ,  TAKAGI Shin-ichi (MIRAI Project, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), AIST Tsukuba West 7, 16-1, Onogawa ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 88  号： 15  ページ： 152115-152115-3  発行年： 2006年04月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Niゲルマニウム化中の原子価修整吸着質である硫黄の偏析を用い...

シソーラス用語： ニッケル合金 ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ni ,  ゲルマニウム ,  硫黄 ,  偏析 ,  Ge ,  Schottky障壁高さ ,  変調