りん打込みInGaAsP/InGaAs/InP中での量子井戸相互混合に対するイオンチャネリング効果

文献

J-GLOBAL ID：200902239010064443 整理番号：06A0002399

Ion channeling effects on quantum well intermixing in phosphorus-implanted InGaAsP/InGaAs/InP

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著者 (7件)：

BARBA D.

BARBA D. について

(Centre de Rech. en Nanofabrication et en Nanocaracterisation, Univ. de Sherbrooke, Sherbrooke, Canada J1K 2R1)