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J-GLOBAL ID:200902239323360841   整理番号:09A0806382

ケイ素ナノワイヤ それらの成長および電気的性質に関する総説

Silicon Nanowires: A Review on Aspects of their Growth and their Electrical Properties
著者 (4件):
資料名:
巻: 21  号: 25/26  ページ: 2681-2702  発行年: 2009年07月13日 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ケイ素ナノワイヤの成長技術,特に化学蒸着法,および電気的性質について総説した。A.序論 B.ケイ素ワイヤ成長の方法および原料 B1.気液固(VLS)機構 B2.ケイ素ワイヤ成長機構(化学蒸着法(CVD);反応性雰囲気中におけるアニーリング;SiOの蒸発;分子ビームエピタキシー(MBE);レーザアブレーション;溶液法;トップダウン合成法)B3.金触媒 B4.他の触媒物質(タイプA触媒;タイプB触媒;タイプC触媒) C.VLSワイヤ成長の熱力学 C1.ナノワイヤ基板の膨張 C2.Nebol′sin安定性基準 C3,成長速度およびGibbs-Thomson効果 D.ケイ素ナノワイヤの電気的性質 D1.ドーピング D2.イオン化エネルギー D3.表面状態および電荷キャリア D4.移動度
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分類 (3件):
分類
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原子・分子のクラスタ  ,  半導体の結晶成長  ,  固-気界面一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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