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J-GLOBAL ID：200902239323360841   整理番号：09A0806382

ケイ素ナノワイヤ それらの成長および電気的性質に関する総説

Silicon Nanowires: A Review on Aspects of their Growth and their Electrical Properties

著者 (4件)： SCHMIDT Volker (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  WITTEMANN Joerg V. (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  SENZ Stephan (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  GOESELE Ulrich (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Halle, DEU)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 21  号： 25/26  ページ： 2681-2702  発行年： 2009年07月13日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素ナノワイヤの成長技術,特に化学蒸着法,および電気的性質について総説した。A.序論 B.ケイ素ワイヤ成長の方法および原料 B1.気液固(VLS)機構 B2.ケイ素ワイヤ成長機構(化学蒸着法(CVD);反応性雰囲気中におけるアニーリング;SiOの蒸発;分子ビームエピタキシー(MBE);レーザアブレーション;溶液法;トップダウン合成法)B3.金触媒 B4.他の触媒物質(タイプA触媒;タイプB触媒;タイプC触媒) C.VLSワイヤ成長の熱力学 C1.ナノワイヤ基板の膨張 C2.Nebol′sin安定性基準 C3,成長速度およびGibbs-Thomson効果 D.ケイ素ナノワイヤの電気的性質 D1.ドーピング D2.イオン化エネルギー D3.表面状態および電荷キャリア D4.移動度

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *結晶成長 ,  *電気的性質 ,  化学蒸着 ,  酸化ケイ素 ,  蒸発 ,  MBE成長 ,  レーザアブレーション ,  液相反応 ,  金化合物 ,  遷移金属触媒 ,  熱力学 ,  熱膨張 ,  基板 ,  安定判別 ,  成長速度 ,  Joule-Thomson効果 ,  薬物乱用 ,  イオン化ポテンシャル ,  表面準位 ,  キャリア ,  移動度 ,  金触媒 ,  電荷キャリア
準シソーラス用語： イオン化エネルギー ,  安定性基準 ,  表面状態 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (4件)： ケイ素ナノワイヤ ,  成長 ,  電気的性質 ,  総説