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J-GLOBAL ID：200902239600276993   整理番号：09A0758956

第13族窒化物が赤外線に使用される時 新しい性質と展望

When group-III nitrides go infrared: New properties and perspectives

著者 (1件)： WU Junqiao (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA and Div. of Materials ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 1  ページ： 011101  発行年： 2009年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電磁波スペクトルの青と近紫外線部分を包含するエネルギーギャップを持つワイドバンドギャップGaNとGa富化InGaN合金は固体素子発光とレーザー技術に対する主な材料の一グループであり,したがって非常に良く研究されている。InNとIn富化InGaN合金への注力はほとんどされていない。分子線ビームエピタクシーを使い成長されたInN薄膜の多くの品質改良に抗して,2002年の主要な展開は1.9eVから0.64eVの非常に狭い値にInNのバンドギャップ改訂をもたらした。この発見がナローバンドギャップ第13属窒化物の領域への世界的研究の引き金となった。InNバンドギャップの低い値は全ての組成でInGaNとInAlN合金の電子構造の整合した記述に対する基礎を与えた。これはより広いスペクトル領域,~1.9μm(InNに対する0.64eV)の近赤外線から~0.36μm(GaNに対する3.4eV)ないしは0.2μm(AlNに対する6.2eV)の極端紫外線にわたり第13族窒化物合金系の基本的バンドギャップを拡張した。バンドギャップエネルギーの連続範囲は近赤外線に及び,第13族窒化物に対する新しい応用の可能性をもたらしている。InNと関連した第13族窒化物半導体の物理的性質の詳細展望をこの論文で提示した。電子構造,キャリア動力学,光学遷移,欠陥物理,ドーピング相違,表面効果,フォノン構造をInNバンドギャップ再評価の背景で検討した。そして,InGaN合金に基づく新しい電子およびオプトエレクトロニクス素子の開発における発展,展望,挑戦を記述した。InNおよびInGaNナノ構造の評価と理解の利点をこれら薄膜類似物との比較において展望した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *第13族元素化合物 ,  *窒化物 ,  *電子構造 ,  バンドギャップ ,  スペクトル ,  近赤外線 ,  極端紫外線 ,  キャリア ,  動特性 ,  電子遷移 ,  ナノ構造 ,  ドーピング ,  表面準位 ,  フォノン ,  固体素子 ,  オプトエレクトロニクス ,  窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化インジウム ,  窒化インジウムガリウム ,  窒化インジウムアルミニウム
準シソーラス用語： 欠陥構造

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化物 ,  赤外線 ,  性質 ,  展望