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J-GLOBAL ID：200902240086492108   整理番号：07A1200251

SiO2ゲート酸化膜をもつ単層電極構造1.75um□画素インターライントランスファー型CCD

A 1.75-μm square pixel IT-CCD having a gate oxide insulator composed by a single-layer electrode structure

著者 (5件)： 本渡恵太 (ソニーセミコンダクタ九州) ,  山根淳二 (ソニー) ,  鈴木啓太 (ソニー) ,  北野良昭 (ソニー) ,  唐澤信浩 (ソニー)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 31  号： 43(IST2007 78-85)  ページ： 5-8  発行年： 2007年09月28日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単層電極構造を用いたインターライントランスファー型CCDにS...

シソーラス用語： *イメージセンサ ,...
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,...

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分類 (1件)： 撮像・録画装置  (ND12032E)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  ゲート酸化膜 ,  単層 ,  電極構造 ,  画素 ,  CCD