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J-GLOBAL ID：200902240200844087   整理番号：08A0145747

高性能放射線検出器開発に対するボンドしたSiの界面抵抗率の評価

INTERFACE RESISTIVITY ESTIMATION OF BONDED Si FOR HIGH PERFORMANCE RADIATION DETECTOR DEVELOPMENT
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著者 (4件)：
KANNO Ikuo

KANNO Ikuo について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
YAMASHITA Makoto

YAMASHITA Makoto について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
NOMIYA Seiichiro

NOMIYA Seiichiro について

(Raytech Corp., Utsunomiya, JPN)

Raytech Corp., Utsunomiya, JPN について

, 
ONABE Hideaki

ONABE Hideaki について

(Raytech Corp., Utsunomiya, JPN)

Raytech Corp., Utsunomiya, JPN について


資料名：
KEK Proceedings  (KEK Proceedings)

KEK Proceedings について


号： 2007-12  ページ： 11-20  発行年： 2007年12月 
JST資料番号： L1349A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*Si半導体検出器

Si半導体検出器 について

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シリコンウエハ

シリコンウエハ について

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分類 (2件)：
分類
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放射線検出・検出器 
(AD08020J)

放射線検出・検出器 について

,  半導体結晶の電気伝導 
(BM03043X)

半導体結晶の電気伝導 について

タイトルに関連する用語 (7件)：
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放射線検出器

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開発

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ボンド

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Si

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評価

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