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J-GLOBAL ID：200902240219051908   整理番号：08A0476778

スイッチ接続インダクタを用いた広同調域CMOS VCOの設計

Design of Wide Tuning-Range CMOS VCOs Using Switched Coupled-Inductors

著者 (3件)： DEMIRKAN Murat (Univ. California, CA, USA) ,  BRUSS Stephen P. (Univ. California, CA, USA) ,  SPENCER Richard R. (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 43  号： 5  ページ： 1156-1163  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1GHz以上の帯域で用いる無線および有線で,異なる複数周波数動作の低コストCMOSプロセス送受信機が注目を集めている。周波数の増加に伴い,LC VCOはキャパシティブスイッチ同調から誘導スイッチ同調への変更が必要となっているが,この場合位相雑音が問題化する。本論文では,従来のLC VCOに対し2.3のファクタで位相雑音あるいは消費電力を低減した,インダクタスイッチ同調LC VCOにつき報告した。得られたFOM(性能指数)は従来の誘導スイッチ同調VCOよりも高く,チップエリアオーバヘッドは単一インダクタVCOのわずか30%となった。スイッチのオン抵抗およびスイッチオフ時キャパシタンスを低減するための動的バイアス法により,共振器のQ値を向上した。Q_cが同調の支配的な定数であることから,スイッチド結合インダクタ法は,動作周波数の増加に伴ってより有望な手法になっていく見込みである。

シソーラス用語： *スイッチ ,  *インダクタ ,  *同調 ,  *CMOS構造 ,  *VCO【発振器】 ,  位相雑音 ,  性能指数 ,  半導体チップ ,  静電容量 ,  バイアス ,  Q値 ,  *マイクロ波通信 ,  電気抵抗 ,  オン抵抗 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： キャパシタンス ,  チップ【IC】 ,  同調範囲

分類 (3件)： マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  発振回路  (NC05020Y) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： インダクタ ,  同調 ,  CMOS ,  VCO ,  設計