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J-GLOBAL ID：200902240368793909   整理番号：03A0552817

液相エピタクシーによりGaSbパターン化基板上に成長させた中空な角錐構造GaSbエピ層の欠陥フィルタ

Defect filtration of hollow pyramidal structured GaSb epilayers grown on GaSb patterned substrates by liquid phase epitaxy

著者 (5件)： ZHANG G (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  BALAKRISHNAN K (West Virginia Univ., WV, USA) ,  KOYAMA T (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  KUMAGAWA M (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  HAYAKAWA Y (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 256  号： 3/4  ページ： 243-247  発行年： 2003年09月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鏡面様の{100}および{111}ファセットをもつ標記エピ層...

シソーラス用語： *エピタクシー ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 液相エピタクシー ,  GaSb ,  パターン化 ,  成長 ,  角錐 ,  エピ層 ,  欠陥